電流と回路(知識)の問題
物質の抵抗率と温度の関係について述べた次の文中の空欄 a・b・c に入る語句の組み合わせとして最も適当なものを、下のア〜オのうちから 1 つ選べ。
銅などの金属の抵抗率は、温度が上がると [ a ]。一方、ケイ素(シリコン)やゲルマニウムなどの半導体の抵抗率は、温度が上がると [ b ]。半導体の抵抗率が温度によってこのように変化するのは、温度が上がると [ c ] ためである。
| a | b | c | |
|---|---|---|---|
| ア | 小さくなる | 大きくなる | 原子の熱振動が激しくなり、電流を運ぶ粒子の運動が妨げられやすくなる |
| イ | 大きくなる | 大きくなる | 原子の熱振動が激しくなり、電流を運ぶ粒子の運動が妨げられやすくなる |
| ウ | 大きくなる | 小さくなる | 原子の熱振動が小さくなり、電流を運ぶ粒子の運動が妨げられにくくなる |
| エ | 大きくなる | 小さくなる | 電流を運ぶ自由電子やホール(正孔)の数が増える |
| オ | 小さくなる | 小さくなる | 電流を運ぶ自由電子やホール(正孔)の数が増える |
この問題で使うもの
- 抵抗率の温度変化(金属・半導体)(説明と入口の問題)
この問題を解けるようになるまで(11 技能)
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ヒント
行き詰まったら、上から順に 1 つずつ開いてください。
ヒント 1
金属と半導体のそれぞれについて、温度が上がったときに抵抗率がどう変わるか、またその原因が何かを思い出そう。
ヒント 2
金属では、温度上昇で陽イオンの熱振動が激しくなり、自由電子の運動が妨げられる。半導体では、温度上昇で電流を運ぶ担い手(キャリア)の数が変わる。
ヒント 3
温度が上がると原子の熱振動は激しくなるので、「熱振動が小さくなる」とする選択肢は除ける。金属の抵抗率は温度上昇で大きくなるので、a が「小さくなる」の選択肢も除ける。残りは b・c の組で決まる。
答えと解説
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エ
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解説を読む
空欄 a:金属では、電流を運ぶのは自由電子である。温度が上がると金属の陽イオンの熱振動が激しくなり、自由電子が陽イオンに衝突しやすくなって運動が妨げられる。そのため、金属の抵抗率は温度が上がると大きくなる(温度変化がそれほど大きくない範囲では、抵抗率は温度にほぼ比例して増加し、 と表される)。
空欄 b・c:半導体では、温度が上がると、熱のエネルギーによって電流を運ぶ自由電子やホール(正孔)の数が増える。電流の担い手(キャリア)が増える効果が大きいため、半導体の抵抗率は温度が上がると小さくなる。したがって b は「小さくなる」、c は「電流を運ぶ自由電子やホール(正孔)の数が増える」である。
よって、正しい組み合わせは エ である。
ほかの選択肢について
- ア:a・b ともに誤り。金属の抵抗率は温度が上がると大きくなり、半導体の抵抗率は温度が上がると小さくなる。c は金属の抵抗率が増える理由であり、半導体の抵抗率の変化の理由ではない。
- イ:b・c が誤り。半導体の抵抗率は温度が上がると小さくなる。c の内容は金属の抵抗率が温度とともに大きくなる理由の説明である。
- ウ:c が誤り。温度が上がると原子の熱振動は激しくなるのであって、小さくなることはない。
- オ:a が誤り。金属の抵抗率は温度が上がると小さくなるのではなく、大きくなる。
別解
a: 金属では温度が上がると原子の熱振動が激しくなり、自由電子の運動が妨げられやすくなるので、抵抗率は大きくなる。
b: 半導体では温度が上がると、自由電子やホール(正孔)の数が大きく増えるため、抵抗率は小さくなる。
c: 半導体の抵抗率が温度上昇で小さくなる理由は、電流を運ぶ自由電子やホールの数が増えるため。
各行: ア(a が誤り)、イ(b が誤り)、ウ(c が誤り。原子の熱振動は温度上昇で激しくなる)、エ(a 大きくなる、b 小さくなる、c キャリアの数が増える:すべて正しい)、オ(a が誤り)。よってエ。