電子回路・半導体デバイスの問題
ホウ素を一様に添加した p 形シリコンの直方体の試料がある(図)。試料の長さは 、断面は 1 辺 の正方形である。この温度で、試料中の正孔密度は 、電子密度は 、正孔の移動度は 、電子の移動度は である。電気素量を とする。試料の両端面( の面)に全面電極をつけたとき、両端の間の電気抵抗 は何 か。有効数字 2 桁で求めよ。ただし、電極と試料の接触抵抗は無視し、電流は試料の長さの方向に一様に流れるものとする。
この問題で使うもの
- 移動度と導電率(説明と入口の問題)
この問題を解けるようになるまで(37 技能)
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右端(太枠)がこの問題で使う技能です。左へドラッグすると、さらに前の前提をさかのぼれます。技能を押すと、そこまでの道筋が光ります。
一覧で見る(前提が先)
- 力の種類とはたらき
- 静電気・放電と電子
- 帯電と電気量保存の法則
- クーロンの法則と電場・電気力線
- 電流の正体と電流の向き
- 真性半導体・n 型半導体・p 型半導体
- 分数のたし算・ひき算
- 小数の四則計算
- 正負の数の加法・減法
- 分数のかけ算・わり算
- 四則の混じった計算の順序
- 正負の数の乗除・累乗と四則混合
- 分配法則を使った計算のくふう
- 文字式の計算(同類項・分配法則)
- 乗法公式による展開
- 因数分解
- 3 次式までの展開と因数分解
- 約数の見つけ方
- 素因数分解と約数の個数
- 平方根の意味と根号の簡単化
- 根号の乗除と加減
- 分母の有理化
- 乗法公式・分配法則を使う根号の式の展開
- 根号を含む式の計算と分母の有理化
- 小数と分数のまじった計算
- 逆算(□ を求める)
- 1 次方程式の解き方
- 比例・反比例の式とグラフ
- 関数 の式と変域
- 平方完成と 2 次関数のグラフ
- 2次方程式の解の公式と判別式
- 半導体のキャリア密度
- オームの法則と抵抗率
- 抵抗の直列接続・並列接続
- オームの法則と合成抵抗
- 抵抗率
- 移動度と導電率
ヒント
行き詰まったら、上から順に 1 つずつ開いてください。
ヒント 1
導電率 を計算し、寸法から電気抵抗 を求める技能を使います。
ヒント 2
と をそれぞれ計算して大きさを比べましょう。長さと断面積は m に直してから使います。
ヒント 3
、 です。あとは に代入します。
答えと解説
答えを見る
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解説を読む
手順 1: 導電率を求める。
電子と正孔の両方が電流を運ぶので、導電率は
である。それぞれの項を計算すると
は に比べて 倍以下で無視できる(p 形なので、電流はおもに正孔が運ぶ)。よって
手順 2: 断面積を求める。
手順 3: 電気抵抗を求める。
抵抗率は なので、 より
である。
別解
導電率 σ = e(pμ_p + nμ_n) = 1.6×10⁻¹⁹ × (2.0×10²²×0.050 + 5.0×10⁹×0.14) = 1.6×10⁻¹⁹ × (1.0×10²¹ + 7.0×10⁸) ≈ 1.6×10² S/m(電子の寄与は無視できる)。断面積 A = (0.50×10⁻³)² = 2.5×10⁻⁷ m²、長さ L = 4.0×10⁻³ m。R = L/(σA) = 4.0×10⁻³ /(1.6×10² × 2.5×10⁻⁷) = 4.0×10⁻³ / 4.0×10⁻⁵ = 1.0×10² Ω。