電子回路・半導体デバイスの問題
ある温度 のシリコン結晶にアクセプタだけを濃度 で一様に添加し、その導電率 をできるだけ小さくしたい。この温度でシリコンの真性キャリア密度は 、電子の移動度は 、正孔の移動度は である。
次を仮定する。
- 半導体は非縮退で、熱平衡では電子密度 と正孔密度 の間に質量作用の法則 が成り立つ
- アクセプタはすべてイオン化している
- 電気的中性条件 が成り立つ
- 移動度は添加濃度によらず上の値で一定とする
- 導電率は ( は電気素量)で与えられる
を変えたとき が最小になる の値は何 か。有効数字 3 桁で求めよ。
この問題で使うもの
- 半導体のキャリア密度(説明と入口の問題)
- 移動度と導電率(説明と入口の問題)
- 多項式の微分(説明と入口の問題)
この問題を解けるようになるまで(39 技能)
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右端(太枠)がこの問題で使う技能です。左へドラッグすると、さらに前の前提をさかのぼれます。技能を押すと、そこまでの道筋が光ります。
一覧で見る(前提が先)
- 力の種類とはたらき
- 静電気・放電と電子
- 帯電と電気量保存の法則
- クーロンの法則と電場・電気力線
- 電流の正体と電流の向き
- 真性半導体・n 型半導体・p 型半導体
- 分数のたし算・ひき算
- 小数の四則計算
- 正負の数の加法・減法
- 分数のかけ算・わり算
- 四則の混じった計算の順序
- 正負の数の乗除・累乗と四則混合
- 分配法則を使った計算のくふう
- 文字式の計算(同類項・分配法則)
- 乗法公式による展開
- 因数分解
- 3 次式までの展開と因数分解
- 約数の見つけ方
- 素因数分解と約数の個数
- 平方根の意味と根号の簡単化
- 根号の乗除と加減
- 分母の有理化
- 乗法公式・分配法則を使う根号の式の展開
- 根号を含む式の計算と分母の有理化
- 小数と分数のまじった計算
- 逆算(□ を求める)
- 1 次方程式の解き方
- 比例・反比例の式とグラフ
- 関数 の式と変域
- 平方完成と 2 次関数のグラフ
- 2次方程式の解の公式と判別式
- 半導体のキャリア密度
- オームの法則と抵抗率
- 抵抗の直列接続・並列接続
- オームの法則と合成抵抗
- 抵抗率
- 移動度と導電率
- 微分係数と導関数の定義
- 多項式の微分
ヒント
行き詰まったら、上から順に 1 つずつ開いてください。
ヒント 1
を使って、 を電子密度 だけの関数として表そう。
ヒント 2
は、2 つの項が等しくなるときに最小になる。
ヒント 3
最小になるのは 、 のとき。あとは中性条件 を使う。
答えと解説
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解説を読む
導電率を の関数にする. 質量作用の法則 より
中性条件 は について単調減少で、 は に対応する( が真性の場合 )。
最小値をとる . 相加平均・相乗平均の関係(または微分 )より、 は
で最小になる。 なので
これは を満たすので、アクセプタの添加で実現できる。
必要なアクセプタ濃度. 中性条件から
(参考: このとき で、真性のときの導電率 の 倍になる。電子の移動度が大きいので、電子を少し減らして正孔を増やす p 形側で導電率が最小になる。)
別解
質量作用の法則と中性条件より 、。 であり、 は とともに単調に増える(、 で )。 の範囲で より 。 なので は許される範囲内にあり、二階微分 より最小。このとき 、。有効数字 3 桁で 。検算: では 、最小点では で確かに小さい。