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電子回路・半導体デバイスの問題

難易度 4大学院入試の標準レベル大学物理 電子回路・半導体デバイス

ある温度 のシリコン結晶にアクセプタだけを濃度 で一様に添加し、その導電率 をできるだけ小さくしたい。この温度でシリコンの真性キャリア密度は 、電子の移動度は 、正孔の移動度は である。

次を仮定する。
- 半導体は非縮退で、熱平衡では電子密度 と正孔密度 の間に質量作用の法則 が成り立つ
- アクセプタはすべてイオン化している
- 電気的中性条件 が成り立つ
- 移動度は添加濃度によらず上の値で一定とする
- 導電率は ( は電気素量)で与えられる

を変えたとき が最小になる の値は何 か。有効数字 3 桁で求めよ。

この問題で使うもの

この問題を解けるようになるまで(39 技能)
算数中学高校大学大学院

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一覧で見る(前提が先)
  1. 力の種類とはたらき
  2. 静電気・放電と電子
  3. 帯電と電気量保存の法則
  4. クーロンの法則と電場・電気力線
  5. 電流の正体と電流の向き
  6. 真性半導体・n 型半導体・p 型半導体
  7. 分数のたし算・ひき算
  8. 小数の四則計算
  9. 正負の数の加法・減法
  10. 分数のかけ算・わり算
  11. 四則の混じった計算の順序
  12. 正負の数の乗除・累乗と四則混合
  13. 分配法則を使った計算のくふう
  14. 文字式の計算(同類項・分配法則)
  15. 乗法公式による展開
  16. 因数分解
  17. 3 次式までの展開と因数分解
  18. 約数の見つけ方
  19. 素因数分解と約数の個数
  20. 平方根の意味と根号の簡単化
  21. 根号の乗除と加減
  22. 分母の有理化
  23. 乗法公式・分配法則を使う根号の式の展開
  24. 根号を含む式の計算と分母の有理化
  25. 小数と分数のまじった計算
  26. 逆算(□ を求める)
  27. 1 次方程式の解き方
  28. 比例・反比例の式とグラフ
  29. 関数 の式と変域
  30. 平方完成と 2 次関数のグラフ
  31. 2次方程式の解の公式と判別式
  32. 半導体のキャリア密度
  33. オームの法則と抵抗率
  34. 抵抗の直列接続・並列接続
  35. オームの法則と合成抵抗
  36. 抵抗率
  37. 移動度と導電率
  38. 微分係数と導関数の定義
  39. 多項式の微分

ヒント

行き詰まったら、上から順に 1 つずつ開いてください。

ヒント 1

を使って、 を電子密度 だけの関数として表そう。

ヒント 2

は、2 つの項が等しくなるときに最小になる。

ヒント 3

最小になるのは 、 のとき。あとは中性条件 を使う。

答えと解説

答えを見る
結果を記録する(このブラウザにだけ保存されます):
解説を読む

導電率を の関数にする. 質量作用の法則 より

中性条件 は について単調減少で、 は に対応する( が真性の場合 )。

最小値をとる . 相加平均・相乗平均の関係(または微分 )より、 は

で最小になる。 なので

これは を満たすので、アクセプタの添加で実現できる。

必要なアクセプタ濃度. 中性条件から

(参考: このとき で、真性のときの導電率 の 倍になる。電子の移動度が大きいので、電子を少し減らして正孔を増やす p 形側で導電率が最小になる。)

別解

質量作用の法則と中性条件より 、。 であり、 は とともに単調に増える(、 で )。 の範囲で より 。 なので は許される範囲内にあり、二階微分 より最小。このとき 、。有効数字 3 桁で 。検算: では 、最小点では で確かに小さい。

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