無機化学・錯体化学の問題
第一遷移系列の 価イオン の水和エンタルピー ()として、次の値が得られているとする。
水溶液中でこれらのイオンはすべて高スピンの八面体錯イオン として存在するものとする。結晶場安定化エネルギー(CFSE)が となる と の値を、 電子数に対して一次関数で結んだものを基準線とし、 の実測値と基準線の値との差はすべて の CFSE によるものとみなす。
次に、ある単座配位子 が に配位した八面体錯イオン を考える。八面体の結晶場分裂エネルギー はヨルゲンセンの規則 に従い、、 とする( は配位子によらない)。
CFSE は、 軌道の電子 個あたり 、 軌道の電子 個あたり の寄与に、自由イオンの基底状態(フントの規則に従う電子配置)と比べて増えた電子対 組あたり電子対生成エネルギー を加えたものと定義する。
の基底状態(高スピンと低スピンのうちエネルギーの低い方)の CFSE は何 か。整数で求めよ。
この問題で使うもの
- 結晶場分裂と結晶場安定化エネルギー(説明と入口の問題)
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ヒント
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ヒント 1
まず水和エンタルピーの基準線からのずれを使って の を求め、次にヨルゲンセンの規則で の を求めます。
ヒント 2
高スピン ()の CFSE は で、自由イオンと比べて電子対は増えません。低スピン ()は に、増えた電子対 組ぶんの が加わります。
ヒント 3
基準線の での値は なので、 から 、 となります。あとは高スピンと低スピンの CFSE を比べます。
答えと解説
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解説を読む
(1) の を求める
基準線は 電子数 の一次関数で、 で 、 で を通る。 での値は
である。実測値との差は
で、これが高スピン の CFSE である。
高スピン の電子配置は で、電子対は 組である。自由イオン の基底状態(不対電子 個)も電子対は 組なので、増えた電子対はなく、電子対生成エネルギーの寄与は である。よって
となり、 である。
(2) の を求める
ヨルゲンセンの規則で なので、 である。 は配位子によらないから
となる。
(3) 高スピンと低スピンの CFSE を比べる
- 高スピン :増えた電子対は 組なので、
- 低スピン :電子対は 組で、自由イオンより 組多い。よって
なので低スピンの方がエネルギーが低く、基底状態は低スピンである( であることとも合う。 では両者の差が になるためである)。
したがって、基底状態の CFSE は である。
別解
基準線は で 、 で を通るので、傾きは per 電子である。 での基準線の値は となる。
実測値 との差は で、これが の CFSE にあたる。
高スピン は で、電子対の数は自由イオンと同じ(増えた電子対は 0 組)。よって CFSE 。
これが に等しいので、 となる。
ヨルゲンセンの規則より、。
高スピン(): CFSE 。
低スピン(): 軌道の寄与は 。電子対は 3 組で、自由イオンの高スピン の 1 組より 2 組増える。増えた分は なので、CFSE 。
なので低スピンの方がエネルギーが低い。 とも整合する。
したがって基底状態は低スピンで、CFSE 。