無機化学・錯体化学の問題
電子配置をもつある金属イオン が、同じ配位子 と八面体錯体 と四面体錯体 をつくるとする。次の値と仮定を用いる。
- 八面体場の分裂幅:
- 四面体場の分裂幅:
- 電子対形成エネルギー:(どちらの錯体でも同じ値とする)
- 分裂前の 軌道のエネルギーの重心を基準として、八面体場では 軌道が 、 軌道が 、四面体場では 軌道が 、 軌道が のエネルギーをもつ。
各電子配置のエネルギーは、結晶場安定化エネルギー(上の軌道エネルギーの和)に、自由イオンの基底状態(高スピン 、電子対 1 組)と比べて増えた電子対の数 を加えたものとする。比べる電子配置は、八面体錯体では高スピン と低スピン 、四面体錯体では高スピン と低スピン とし、それぞれの錯体でエネルギーの低い方を基底状態とする。
四面体錯体の基底状態のエネルギー と八面体錯体の基底状態のエネルギー の差 は何 か。有効数字 3 桁で求めよ。
この問題で使うもの
- 結晶場分裂と結晶場安定化エネルギー(説明と入口の問題)
この問題を解けるようになるまで(80 技能)
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- 錯イオン
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- 結晶場分裂と結晶場安定化エネルギー
ヒント
行き詰まったら、上から順に 1 つずつ開いてください。
ヒント 1
八面体と四面体のそれぞれについて、高スピン配置と低スピン配置のエネルギーを計算して比べ、低い方を基底状態として選びましょう。
ヒント 2
各配置のエネルギーは(軌道エネルギーの和)+(自由イオンの電子対 1 組から増えた電子対の数) です。四面体場では です。
ヒント 3
八面体では高スピン 、低スピン (単位 )です。四面体では高スピン と低スピン を比べます。
答えと解説
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解説を読む
自由イオンの高スピン では、5 つの 軌道に 1 個ずつ電子が入り、残り 1 個が対をつくるので、電子対は 1 組である。これを基準に、増えた電子対 1 組あたり を加える。
八面体場
- 高スピン :電子対は 1 組なので、増えた電子対は 0 組。
- 低スピン :電子対は 3 組なので、増えた電子対は 2 組。
なので低スピンが基底状態であり、 である。
四面体場
分裂幅は
- 高スピン :電子対は 1 組なので、増えた電子対は 0 組。
- 低スピン :電子対は 2 組なので、増えた電子対は 1 組。
なので高スピンが基底状態である(2 つの差は で、 だから低スピンは不利)。よって である。
差を求める
したがって、八面体錯体の基底状態の方が だけ安定である。
別解
【八面体錯体】。
- 高スピン :CFSE 。電子対は 1 組で基底状態と同じなので、増えた電子対は 0。エネルギーは 。
- 低スピン :CFSE 。電子対は 3 組で、増えた電子対は 2 組なので 。エネルギーは 。
低スピンの方が低いので 。
【四面体錯体】。
- 高スピン :CFSE 。増えた電子対は 0。エネルギーは 。
- 低スピン :CFSE 。電子対は 2 組で、増えた電子対は 1 組なので 。エネルギーは 。
高スピンの方が低いので 。
【差】。
検算:、 の差の符号も確認済み。