真空中で、電場が直交座標 と時刻 の関数として
で与えられている。ここで , , は正の定数である。
マクスウェル方程式 を用いて、磁束密度 の 成分 を , , , , を用いて表せ。ただし、時間によらない一定の磁場は存在しないものとする。
、 などの 4 式を使い、与えられた電場から磁場を求めたり、場がマクスウェル方程式を満たす条件(電荷・電流密度や定数の関係)を求められる
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右端(太枠)がこの技能です。左へドラッグすると、さらに前の前提をさかのぼれます。技能を押すと、そこまでの道筋が光ります。
電場と磁場が空間の各点でみたす関係を、偏微分を使って書いたのがマクスウェル方程式の微分形です。真空中の電荷密度 、電流密度 に対して
の 4 式からなります。この技能では、与えられた電場の式から回転を計算して磁場を求めたり、ある場がこれらをみたすために必要な電荷・電流密度や定数どうしの関係(例えば電磁波の と の関係)を求めたりします。
4 式はそれぞれ、すでに知っている積分の形の法則を「ごく小さな領域」に当てはめたものです。例えば点 を囲む辺 の小さな直方体にガウスの法則を使うと、 に垂直な 2 面から出る流束の差は で、3 方向を足すと になります。これが中の電荷 を で割ったものに等しいので、 で割って です。磁力線には始まりも終わりもない(閉曲面を貫く磁束は )ことから、同じ計算で が得られます。
回転のほうは、 平面内の辺 の小さな長方形を反時計回りに 1 周する の線積分を計算すると となります。この 1 周の線積分は誘導起電力で、ファラデーの法則より長方形を 向きに貫く磁束 の減少率に等しいので、 です。他の成分も同様です。同じことをアンペールの法則 に行うと が出ます。
ただし、どんなベクトル場でも回転の発散は (、成分で計算すると偏微分の順序交換で打ち消し合う)なので、 のままだと常に となり、コンデンサーの充電のように電荷がたまる場合(電荷保存 )と矛盾します。そこで を時間微分した を使い、 を に置き換えると、その発散は になって矛盾が消えます。この追加の項(変位電流)のおかげで、電荷も電流もない真空中でも電場の変化が磁場を、磁場の変化が電場を生み、光速で伝わる電磁波が存在できます。
与えられた場の成分 (または の成分)を書き出し、どの変数()に依存するかを確かめる
必要な式を選ぶ。磁場を求めるなら 、電荷密度なら 、電流密度や定数の関係なら を使う
発散 や回転 を成分ごとに計算する
磁場を求めるときは に等しいとおいて時間で積分する。時間によらない一定の項は問題の条件(波として振動する部分だけを考える、など)で決める
得られた式が残りの方程式もみたすか、または両辺の係数を比べて定数の関係や ・ を求める
真空中(、)で、電場が ( は正の定数)で与えられている。磁場は の形で、時間によらない一定の成分はないものとする。マクスウェル方程式 を用いて、 を で表せ。
【手順 1】 は と だけに依存し、。
【手順 2】磁場を求めるので、 を使う。
【手順 3】回転の成分を計算する。、 は によらないので
【手順 4】 成分について 。一方、 を時間微分すると なので
これがすべての で成り立つから 。
【手順 5】 なので割って
(なお 成分は両辺とも で一致している。さらに も使うと 、つまり が得られる。)
答え:
回転の成分の順序や符号を取り違える誤り。例えば としてしまう。正しくは で、 の順に巡回させて作る
ファラデーの法則の負号を落として としてしまう誤り。例題では となり磁場の向きが逆になる。正しくは
真空中でも のまま変位電流の項 を落としてしまう誤り。そうすると真空中で となり電磁波の条件が出ない。正しくは で、平面波では が導かれる
与えられた場がマクスウェル方程式の 1 つをみたすだけで、物理的にありうる場だと判断してしまう誤り。例えば は だが なので、真空中()では許されない。4 式すべてを確かめる
この説明は AI が書き、別の AI が例題を独立に解いて答えを確かめ、説明を一歩ずつ査読しました。
SI 単位系で、真空中(真空の透磁率 、真空中の光速 )を伝わる平面電磁波を考える。 直交座標系で、この電磁波の電場は
で与えられる。ここで , , は正の定数で、 を満たす。また、磁場には時間に依存しない成分はないものとする。
平面 上にある、原点を中心とする半径 の円板を考える。この円板を 軸の正の向きに通過する電磁場のエネルギーの、単位時間あたりの量(ポインティングベクトルの円板上での面積分)を、電磁波の 1 周期にわたって時間平均した値を、, , , を用いて表せ。
SI 単位系で、電荷も電流もない真空中に、電場が
で表される電磁場がある。ここで は正の定数であり、 はこの電場がマクスウェル方程式を満たすように定まっている。磁場 は時間的に振動する成分だけからなり、時間によらない成分は含まないものとする。真空の誘電率を 、透磁率を 、光速を とする。
ポインティングベクトルを 、電磁場のエネルギー密度を とし、 と をそれぞれ時間について 1 周期、 について 1 周期()にわたって平均したものを 、 とする。 方向のエネルギー輸送の速さ を、 を用いて求めよ。
SI 単位系で、真空中に、平面 と に置かれた 2 枚の十分に広い完全導体板がある。板の間()の電場が
で与えられる定在波になっている。ここで は定数、、、 は真空中の光速であり、, はそれぞれ真空の誘電率と透磁率である。板の間に電荷や電流はなく、磁場には時間によらない一様な成分はないものとする。完全導体の内部( の側)では電場も磁場も である。板 が電磁場から受ける力の単位面積あたりの大きさを、時間について平均した値を , を用いて表せ。
SI 単位系で、数密度 の自由電子(質量 、電荷 )と、電荷を中和する一様な正イオンからなる冷たいプラズマがある。正イオンは重いので静止しているとみなし、電子の熱運動・衝突、電子にはたらく磁場からの力は無視し、電子の運動は非相対論的に扱う。真空の誘電率を 、透磁率を 、光速を とし、プラズマ角振動数を とする。
このプラズマ中を、 軸の正の向きに、角振動数 の横波の平面電磁波
が伝わっている。電子の速度はこの電場によって生じる振動成分だけからなるものとする。
電場のエネルギー密度 、磁場のエネルギー密度 、電子の運動エネルギー密度 をそれぞれ時間平均し、それらの和を全エネルギー密度とする。全エネルギー密度のうち電子の運動エネルギー密度が占める割合を、既約分数で求めよ。
SI 単位系で、 の空間を一様な導電性の媒質が満たしている。この媒質の誘電率は真空の誘電率 、透磁率は真空の透磁率 に等しく、電気伝導率は で、電流密度はオームの法則 に従う。媒質の内部では電荷密度は とする。光速を とする。
この媒質の中を、角振動数 の単色の平面電磁波が 軸の正の向きに進んでいる。電場は 成分だけをもち、複素表示で
と書ける( は定数、 は複素数の波数で )。伝導率が であるとき、電場の振幅が 倍になるまでに波が進む距離(振幅の減衰長)を、, を用いて表せ。
SI 単位系で、電荷も電流もない一様な一軸性結晶の中を伝わる単色の平面電磁波を考える。結晶は光を吸収せず、非磁性(透磁率は真空の透磁率 )である。結晶の光学軸を 軸にとると、電束密度 と電場 は
の関係で結ばれている( は真空の誘電率)。
この結晶中を、すべての場の成分が に比例する平面波が伝わる。波数ベクトル は 平面内にあり、 軸となす角は である。また、電場 は 平面内で振動している。
時間平均したポインティングベクトル と波数ベクトル のなす角を とする。 を の範囲で変えたときの の最大値を、既約分数で求めよ。